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MBR10XXX-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MBR10XXX-E3
廠商型號

MBR10XXX-E3

功能描述

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

138.67 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-17 23:01:00

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MBR10XXX-E3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Lower power losses, high efficiency

? Low forward voltage drop

? High forward surge capability

? High frequency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AC and ITO-220AC package)

? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency rectifier of switching mode power supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters or polarity protection application.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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