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MBD110DWT1G分立半導體產(chǎn)品的二極管-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MBD110DWT1G
廠商型號

MBD110DWT1G

參數(shù)屬性

MBD110DWT1G 封裝/外殼為6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-射頻;產(chǎn)品描述:RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88

功能描述

Dual Schottky Barrier Diodes
RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88

絲印標識

M4

封裝外殼

SC-88 / 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

213.8 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-20 17:22:00

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MBD110DWT1G規(guī)格書詳情

MBD110DWT1G屬于分立半導體產(chǎn)品的二極管-射頻。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MBD110DWT1G二極管 - 射頻射頻二極管是一種雙端子半導體器件,只允許一個方向通過電流,而限制反方向的電流。該系列器件用于射頻匹配電路以進行電子調(diào)諧。二極管類型包括 PIN 型、肖特基型和標準型,反向電壓范圍為 1 至 15,000 V,電流范圍為 10 mA 至 20A。

Application circuit designs are moving toward the consolidation of

device count and into smaller packages. The new SOT?363 package is a

solution which simplifies circuit design, reduces device count, and reduces

board space by putting two discrete devices in one small six?leaded

package. The SOT?363 is ideal for low?power surface mount applications

where board space is at a premium, such as portable products.

The MBD110DW and MBD330DW devices are spin?offs of our

popular MMBD101LT1 and MMBD301LT1 SOT?23 devices. They are

designed for high?efficiency UHF and VHF detector applications. Readily

available to many other fast switching RF and digital applications.

Features

? Extremely Low Minority Carrier Lifetime

? Very Low Capacitance

? Low Reverse Leakage

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MBD110DWT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 二極管類型:

    肖特基 - 2 個獨立式

  • 電壓 - 峰值反向(最大值):

    7V

  • 不同?Vr、F 時電容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 封裝/外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應商器件封裝:

    SC-88/SC70-6/SOT-363

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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