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MBR1100F	文件：608.17 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Schottkybarrierchip guardringdieconstructionfortransientprotection Lowforwardloss,highefficiency Highsurgecapability Highcurrentcapabilityandlowforwardvoltagedrop Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplication P	PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL 霈峰霈峰實業(yè)有限公司	PACELEADER
MBR1100F	文件：435.52 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSREVERSEVOLTAGE20TO200VFORWARDCURRENT1.0A DESCRIPTION Th eMBR120FMBR1200Fareavailablein SOD123FLpackage FEATURES ?Metalsiliconjunction,majoritycarrier conduction ?Forsurfacemountedapplications ?Lowpowerloss,highefficiency ?Highforwardsurgecurrentcapability ?Foruseinlowvoltage,highfre	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
MBR1100G	文件：59.25 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MBR1100G	文件：67.73 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MBR1100RL	文件：54.56 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER1.0AMPERE100VOLTS AxialLeadRectifier TheserectifiersemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow?voltage,high?frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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MBR1100TR	文件：82.24 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyRectifier,1A DESCRIPTION TheMBR1100axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andreversebatteryprotection. FEATURES ?Lowprofile,axialleade	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
MBR1100TR	文件：118.61 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,1A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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