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MBRD8150VS	文件：1.08873 Mbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
MBRF8150	文件：151.5 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifierReverseVoltage40to200VForwardCurrent8.0A	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌電子如皋市大昌電子有限公司	DACHANG
MBRF8150	文件：151.5 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌電子如皋市大昌電子有限公司	DACHANG
MBRF8150	文件：1.43942 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三陽電子三陽電子有限公司	SAMYANG
MBRF8150CT	文件：187.95 Kbytes Page：2 Pages	8.0AMPS.IsolatedSchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
MBRF8150CT	文件：316.75 Kbytes Page：2 Pages	Isolated8.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers VoltageRange30to100VoltsCurrent8.0Amperes Features ?PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratory Classifications94V-0 ?Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ?Lowpowerloss,highefficiency ?Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ?Highsurg	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
MBRF8150CT	文件：224.55 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
MBRF8150CT	文件：1.4809 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三陽電子三陽電子有限公司	SAMYANG
MBRF8150CT	文件：1.40871 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Features Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std..(HalogenFree) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
MMDT8150	文件：125.6 Kbytes Page：2 Pages	LOWVCESATNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMDT8150isaDualNPNepitaxialplanartransistor.IthaslowVCE(SAT)performanceandthetransistorelementsareindependenttoeliminateinterference. FEATURES LowVCE(SAT),VCE(SAT)=40mV(typ.)@IC/IB=50mA/2.5mA Transistorelementsareindependenttoeliminate	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC

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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MAZ8150-M	PANASONIC	24+	SOD-323	6592		詢價(jià)
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