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SIHFR9020	文件：4.08678 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyand	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9020	文件：1.20947 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR9020T	文件：1.20947 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR9020TA	文件：4.08678 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyand	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9020TL	文件：1.20947 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR9020TLA	文件：4.08678 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyand	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFU9020	文件：1.79403 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surfacemountable(orderasIRFR9020, SiHFR9020) ?Straightleadoption(orderasIRFU9020, SiHFU9020) ?Repetitiveavalancheratings ?DynamicdV/dtrating ?Simpledriverequirements ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseeww	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFU9020	文件：4.08678 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyand	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFU9020	文件：1.20947 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SII9020	文件：173.13 Kbytes Page：2 Pages	HDMITransmitter	SILICONIMAGE Silicon image	SILICONIMAGE

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
MAX9020EKA-T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
類別：
集成電路（IC） > 比較器
系列：
Beyond-the-Rails?
包裝：
卷帶（TR）
類型：
通用
輸出類型：
CMOS，開路漏極，滿擺幅
電壓 - 供電，單/雙?(±)：
1.8V ~ 5.5V
電壓 - 輸入補償（最大值）：
5mV @ 5V
電流 - 輸入偏置（最大值）：
0.001μA @ 5V
電流 - 輸出（典型值）：
50mA
電流 - 靜態(tài)（最大值）：
2μA
CMRR，PSRR（典型值）：
80dB PSRR
傳播延遲（最大值）：
31μs
滯后：
4mV
工作溫度：
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼：
SOT-23-8
安裝類型：
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-8
描述：
IC COMPARATOR DUAL SOT23-8

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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