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SI8902EDB	文件：249.1 Kbytes Page：10 Pages	Bi-DirectionalN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?Ultra-lowRSS(on) ?ESDprotected:4000V ?MICROFOOT?chipscalepackagingreduces footprintareaprofile(0.62mm)andon-resistance perfootprintarea ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI8902EDB	文件：205.7 Kbytes Page：9 Pages	Bi-DirectionalN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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