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T8514VB	文件：92.82 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofGaAlAsIREmittingDiodeChip	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
T8514VB-SF-F	文件：92.82 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofGaAlAsIREmittingDiodeChip	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
TPCP8514	文件：303.55 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorsSiliconNPNEpitaxialType Applications ?High-SpeedSwitching ?DC-DCConverters Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=120to240(VCE=2V,IC=0.3A) (2)Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(max)(IC=1.0A,IB=0.1A) (3)High-speedswitching:tf=170ns(typ.)(IC=1.0A)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TS8514VB	文件：86.76 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedandass	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
TS8514VB	文件：90.59 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
TS8514VB	文件：87.29 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES ?Packagetype:chip ?Packageform:singlechip ?Technology:surfaceemitter ?Dimensionschip(LxWxH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
MAX8514EEI
功能描述：
DC/DC 開關(guān)控制器
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
輸入電壓：
6 V to 100 V
輸出電壓：
1.215 V to 80 V
輸出電流：
3.5 A
輸出端數(shù)量：
1
最大工作溫度：
+ 125 C
封裝/箱體：
CPAK

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多MAX8514EEI供應(yīng)商更新時間2025-7-15 15:00:00

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