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SDR818

100AMP50-1200VOLTS60nsecULTRAFASTRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

SIE818DF

N-Channel75-V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIE818DF

N-Channel75-V(D-S)MOSFET

TFUNKVishay Telefunken

威世威世（VISHAY）集團

SIR818DP

N-Channel30V(D-S)MOSFET

TFUNKVishay Telefunken

威世威世（VISHAY）集團

SIR818DP

N-Channel30V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

STM818L/M

5Vsupervisorwithbatteryswitchover

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STM818LSLASHM

5Vsupervisorwithbatteryswitchover

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STT818A

HIGHGAINLOWVOLTAGEPNPPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION UsingthelatestlowvoltageEpitaxialPlanartechnologybasedoninterdigitatedlayout,STMicroelectronicshasintroducedthenew“HighGain”Powerbipolartransistorfamily,withoutstandingperformances.Itsverylowsaturationvoltagecombinedwiththe“highgain”characteristics

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STT818B

HIGHGAINLOWVOLTAGEPNPPOWERTRANSISTOR

Description ThedeviceismanufacturedinlowvoltagePNPPlanarTechnologywithBaseIslandlayout.TheresultingTransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollectortoemittersaturationvoltage ■DCcurrentgain>100(h

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STT818B

HighgainlowvoltagePNPpowertransistor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MAX818MESA+T

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 監(jiān)控器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 類型：

    備用電池電路

  • 電壓 - 閾值：

    4.4V

  • 復(fù)位：

    低有效

  • 復(fù)位超時：

    最小為 140ms

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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8SOIC
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更多MAX818MESA+T供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 13:44:00

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