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MURH7060

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURH7060

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURH7060R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURH7060R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

NDB7060

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwit

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

NDB7060

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NDB7060L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NDB7060L

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

NDP7060

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwit

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

NDP7060

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

產品屬性

  • 產品編號：

    MAX7060EVKIT+

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    開發(fā)板，套件，編程器 > 射頻評估和開發(fā)套件，開發(fā)板

  • 包裝：

    盒

  • 類型：

    發(fā)射器

  • 頻率：

    280MHz ~ 450MHz

  • 配套使用/相關產品：

    MAX7060

  • 所含物品：

    板，電纜

  • 描述：

    EVAL KIT MAX7060

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Maxim
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一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
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更多MAX7060EVKIT+供應商 更新時間2025-7-29 10:19:00

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