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MG6308WZ	文件：246.01 Kbytes Page：4 Pages	650V75AInsulatedGateBipolarTransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
MJ6308	文件：214.4 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?700VCollector-BaseBreakdownCapability ?ExcellentDynamicSaturationCharacteristics ?Fastswithing ?LowSaturationVoltage ?AdvancedTechnologyReplacementforthe2N6308 APPLICATIONS ?Designedincircuitsrequiringgooddynamiosaturation characteristicsinswithi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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