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MBR350

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

VOLTAGE40to200VoltCURRENT3Ampere FEATURES ?GuardRingDieConstructionforTransientProtection ?LowPowerLoss,HighEfficiency ?HighSurgeCapability ?HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ?SurgeOverloadRatingto80APeak ?ForUseinLowVoltage,HighFrequen

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

MBR350

SchottkyRectifier,3A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR350

3.0A50VSchottkydiode

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

PDF上傳者：深圳冠榮電子有限公司

MBR350

3ASCHOTTKYRECTIFIER

3ASCHOTTKYRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

MBR350

3.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE

Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

MBR350

AxialLeadRectifiers

ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow?voltage, high?frequencyinverters,freewhee

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBR350F

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT3.0A

DESCRIPTION The MBR320F~MBR3200Fareavailablein SOD123FLPackage FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 ?Lowpowerloss,highefficiency ?Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling,andpolarityprotecti

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

MBR350RL

AxialLeadRectifiers

ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow?voltage,high?frequencyinverters,freewheeling

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBR350RL

AxialLeadRectifiers

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBR350RL

AxialLeadRectifiers

ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow?voltage, high?frequencyinverters,freewhee

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MAX350EAP

  • 功能描述：

    多路器開關(guān) IC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 通道數(shù)量：

    1

  • 開關(guān)數(shù)量：

    4

  • 開啟電阻（最大值）：

    7 Ohms

  • 傳播延遲時(shí)間：

    0.25 ns

  • 工作電源電壓：

    2.3 V to 3.6 V

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    UQFN-16

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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現(xiàn)貨庫存
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