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MAX3207EAUT+TP	文件：1.24593 Mbytes Page：4 Pages	Marking：ABVG；Package：SOT23-6；Dual, Quad, and Hex High-Speed,Differential ESD-Protection Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5.5V Uttarlowcapacitance0.7pF(typ) Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: —IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+30KV Contactdischarge:+30kV —IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) —IEC61000-4-5(Lightn	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
MAX3207EAUT-T	文件：303.5 Kbytes Page：13 Pages	Dual,Quad,andHexHigh-SpeedDifferentialESD-ProtectionICs GeneralDescription TheMAX3205E/MAX3207E/MAX3208Elow-capacitance,±15kVESD-protectiondiodearrayswithanintegratedtransientvoltagesuppressor(TVS)clamparesuitableforhigh-speedandgeneral-signalESDprotection.LowinputcapacitancemakesthesedevicesidealforESDprotectionof	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MBDDT3207	文件：1.86207 Mbytes Page：27 Pages	TechnicalreferenceACServoMotor&Driver	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下電器松下電器（中國）有限公司	PANASONICBATTERY
MCDDT3207	文件：1.86207 Mbytes Page：27 Pages	TechnicalreferenceACServoMotor&Driver	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下電器松下電器（中國）有限公司	PANASONICBATTERY
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MMDF3207	文件：84.54 Kbytes Page：4 Pages	DUALTMOSPOWERMOSFET7.8AMPERES20VOLTS MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualP-ChannelFieldEffectTransistors WaveFET?devicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’slatestMOSFETtechnologyprocesstoachievethelowestpossibleon–resistancepersiliconarea.Theyarecapableofwithstandinghigh	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MN3207	文件：241.47 Kbytes Page：5 Pages	1024-StageLowVoltageOperation,LowNoiseBBDforAnalogSignalDelays 1024-StageLowVoltageOperation,LowNoiseBBDforAnalogSignalDelays	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
MT3207	文件：979.68 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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