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MURF20010	文件：342.53 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURF20010R	文件：342.53 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20010	文件：730.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20010	文件：360.32 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20010	文件：389.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
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MV20010	文件：154.63 Kbytes Page：2 Pages	GaAsVaractorDiodesAbruptJunction Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PD20010-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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