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MBR150

1.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE

Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

MBR150

1.0AAxialLeadedSchottkyBarrierRectifierDiodes

Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導體股份有限公司

MBR150

1ASCHOTTKYRECTIFIER

1ASCHOTTKYRECTIFIER

DIGITRON

Digitron Semiconductors

MBR150

LowReverseCurrent

Features ?LowReverseCurrent ?LowStoredCharge.MajorityCarrierConduction ?LowPowerLoss/HighEfficiency ?HighlyStableOxidePassivatedJunction

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

MBR150E

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT1.0A

DESCRIPTION The MBR120E~MBR1200Eisavailablein SOD-323HEPackage FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 ?Lowpowerloss,highefficiency ?Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling, andpolarityprotection appl

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

MBR150F

SchottkyDiodes

■Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highforwardsurgecurrentcapability ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

MBR150G

AxialLeadRectifiers

TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow?voltage,high?frequencyinverters,free

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MBR150RL

AxialLeadRectifiers

TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow?voltage,high?frequencyinverters,free

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MBR150RLG

AxialLeadRectifiers

TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow?voltage,high?frequencyinverters,free

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MBR150TR

SchottkyRectifier,1A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MAX150BEWP+T

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）

  • 包裝：

    管件

  • 位數(shù)：

    8

  • 采樣率（每秒）：

    500k

  • 輸入數(shù)：

    1

  • 輸入類型：

    單端

  • 數(shù)據(jù)接口：

    并聯(lián)

  • 配置：

    S/H-ADC

  • 比率 - S/H：

    1：1

  • 架構(gòu)：

    閃存

  • 參考類型：

    外部，內(nèi)部

  • 電壓 - 供電，模擬：

    5V

  • 電壓 - 供電，數(shù)字：

    5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    20-SOIC

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 描述：

    IC ADC 8BIT FLASH 20SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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