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MASTERGAN1

絲?。?strong>MASTERGAN1；Package：QFN9x9x1mm；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

Features ?600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistors: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ –IDS(MAX)=10A ?Reversecurrentcapability ?Zeroreverserecoveryloss ?UVLOprotectiononlow-sideandhigh-side ?Internalb

MASTERGAN1

High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs; ? 集成半橋柵極驅(qū)動(dòng)器和高壓GaN的系統(tǒng)級(jí)功率封裝 \n ?RDS(ON) = 150 m? \n ?IDS(MAX) = 10 A \n ?IDS(MAX) = 10 A \n? 反向電流能力 \n? 零反向恢復(fù)損耗 \n? 低邊和高邊UVLO保護(hù) \n? 內(nèi)置自舉二極管 \n? 互鎖功能 \n? 關(guān)閉功能專(zhuān)用引腳? 準(zhǔn)確的內(nèi)部定時(shí)匹配 \n? 具有滯回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容輸入 \n? 過(guò)熱保護(hù) \n? 減少物料單 \n? 非常緊湊且簡(jiǎn)便的布局 \n? 靈活快捷的設(shè)計(jì)。;

MASTERGAN1是一款先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)功率封裝，在半橋配置中集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)模式GaN晶體管。\n\n 集成功率GaN具有150 mΩ的RDS（ON）和650 V漏源擊穿電壓，而嵌入式柵極驅(qū)動(dòng)器的高側(cè)可由集成式自舉二極管輕松提供。\n\n MASTERGAN1在上下驅(qū)動(dòng)部分均具有UVLO保護(hù)，可防止電源開(kāi)關(guān)在低效率或危險(xiǎn)條件下運(yùn)行，并且互鎖功能可避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)情況。\n\n 輸入引腳的擴(kuò)展范圍可與微控制器、DSP單元或霍爾效應(yīng)傳感器輕松連接。\n\n MASTERGAN1的工作溫度范圍為-40°C至125°C。\n\n 該器件采用緊湊型9x9 mm QFN封裝。\n\n

MASTERGAN1

Package：31-VQFN 裸露焊盤(pán)；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類(lèi)別：集成電路（IC） 電源管理 - 專(zhuān)用 描述：HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH

MASTERGAN1L

帶有高壓驅(qū)動(dòng)器的600 V半橋增強(qiáng)模式GaN HEMT; ? 600 V系統(tǒng)級(jí)封裝集成了半橋柵極驅(qū)動(dòng)器和高壓GaN功率晶體管： \n ?QFN 9 x 9 x 1 mm封裝 \n ?RDS(ON) = 150 m? \n ?IDS(MAX) = 10 A \n? 反向電流能力 \n? 零反向恢復(fù)損耗 \n? VCC上的UVLO保護(hù) \n? 內(nèi)部自舉二極管 \n? 互鎖功能 \n? 關(guān)閉功能專(zhuān)用引腳? 準(zhǔn)確的內(nèi)部定時(shí)匹配 \n? 具有滯回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容輸入 \n? 熱保護(hù) \n? 減少物料單 \n? 非常緊湊且簡(jiǎn)便的布局 \n? 靈活快捷的設(shè)計(jì)。 \n? 超短喚醒時(shí)間，少于200 ns;

MASTERGAN1L是一款先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)功率封裝器件，在半橋配置中集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)模式GaN晶體管。\n\n 集成的功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源閉鎖電壓，而嵌入式柵極驅(qū)動(dòng)器的高側(cè)可由集成式自舉二極管輕松提供。\n\n MASTERGAN1L在VCC上具有UVLO保護(hù)，可防止電源開(kāi)關(guān)在低效率或危險(xiǎn)條件下運(yùn)行，并且互鎖功能可避免出現(xiàn)交叉?zhèn)鲗?dǎo)的情況。\n\n 輸入引腳的范圍經(jīng)過(guò)擴(kuò)展，可與模擬控制器、微控制器和DSP單元輕松連接。\n\n MASTERGAN1L的工作溫度范圍為-40°C至125°C。\n\n 該器件采用緊湊型9x9 mm QFN封裝。\n\n

MASTERGAN1TR

絲?。?strong>MASTERGAN1；Package：QFN9x9x1mm；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

Features ?600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistors: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ –IDS(MAX)=10A ?Reversecurrentcapability ?Zeroreverserecoveryloss ?UVLOprotectiononlow-sideandhigh-side ?Internalb