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Q6015LTH	文件：124.53 Kbytes Page：6 Pages	InternallyTriggeredTriacs(4Ato15A) GeneralDescription Teccor’sQuadracdevicesaretriacsthatincludeadiactriggermountedinsidethesamepackage.Thisdevice,developedbyTeccor,savestheusertheexpenseandassemblytimeofbuyingadiscretediacandassemblinginconjunctionwithagatedtriac.Also,thealternistorQ	Teccor Teccor Electronics	Teccor
QM6015D	文件：247.43 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch60VFastSwitchingMOSFETs	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
QM6015D	文件：971.47 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
QM6015S	文件：1.59967 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
R6015ANJ	文件：328.88 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET Structure SiliconN-channelMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. Applications Switching	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
R6015ANX	文件：235.33 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
R6015ANX	文件：1.35681 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
R6015ANZ	文件：1.15857 Mbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET Structure SiliconN-channelMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)HighESD. Application Switching	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
R6015ENJ	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
R6015ENJ	文件：2.47311 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM

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