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M48Z2M1Y集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

M48Z2M1Y
廠商型號

M48Z2M1Y

參數(shù)屬性

M48Z2M1Y 封裝/外殼為36-DIP 模塊;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP

功能描述

5V or 3.3V, 16 Mbit (2Mb x 8) ZEROPOWER SRAM
IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP

封裝外殼

36-DIP 模塊

文件大小

307.7 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-18 10:56:00

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M48Z2M1Y規(guī)格書詳情

M48Z2M1Y屬于集成電路(IC)的存儲器。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的M48Z2M1Y存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

DESCRIPTION

The M48Z2M1/2M1Y ZEROPOWER? RAM is a non-volatile 16,777,216 bit Static RAM organized as 2,097,152 words by 8 bits. The device combines two internal lithium batteries, CMOS SRAMs and a control circuit in a plastic 36 pin DIP long Module.

■ INTEGRATED LOW POWER SRAM,

POWER-FAIL CONTROL CIRCUIT and

BATTERIES

■ CONVENTIONAL SRAM OPERATION;

UNLIMITED WRITE CYCLES

■ 10 YEARS of DATA RETENTION in the

ABSENCE of POWER

■ AUTOMATIC POWER-FAIL CHIP DESELECT

and WRITE PROTECTION

■ WRITE PROTECT VOLTAGES

(VPFD = Power-fail Deselect Voltage):

– M48Z2M1: 4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V

– M48Z2M1Y: 4.2V ≤ VPFD ≤ 4.50V

■ BATTERIES ARE INTERNALLY ISOLATED

UNTIL POWER IS APPLIED

■ PIN and FUNCTION COMPATIBLE with

JEDEC STANDARD 2Mb x 8 SRAMs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    M48Z2M1Y-70PL1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    16Mb(2M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    36-DIP 模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    36-PLDIP 模塊

  • 描述:

    IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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