M48Z2M1Y集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
M48Z2M1Y |
參數(shù)屬性 | M48Z2M1Y 封裝/外殼為36-DIP 模塊;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP |
功能描述 | 5V or 3.3V, 16 Mbit (2Mb x 8) ZEROPOWER SRAM |
封裝外殼 | 36-DIP 模塊 |
文件大小 |
307.7 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
17 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-18 10:56:00 |
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M48Z2M1Y規(guī)格書詳情
M48Z2M1Y屬于集成電路(IC)的存儲器。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的M48Z2M1Y存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
DESCRIPTION
The M48Z2M1/2M1Y ZEROPOWER? RAM is a non-volatile 16,777,216 bit Static RAM organized as 2,097,152 words by 8 bits. The device combines two internal lithium batteries, CMOS SRAMs and a control circuit in a plastic 36 pin DIP long Module.
■ INTEGRATED LOW POWER SRAM,
POWER-FAIL CONTROL CIRCUIT and
BATTERIES
■ CONVENTIONAL SRAM OPERATION;
UNLIMITED WRITE CYCLES
■ 10 YEARS of DATA RETENTION in the
ABSENCE of POWER
■ AUTOMATIC POWER-FAIL CHIP DESELECT
and WRITE PROTECTION
■ WRITE PROTECT VOLTAGES
(VPFD = Power-fail Deselect Voltage):
– M48Z2M1: 4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V
– M48Z2M1Y: 4.2V ≤ VPFD ≤ 4.50V
■ BATTERIES ARE INTERNALLY ISOLATED
UNTIL POWER IS APPLIED
■ PIN and FUNCTION COMPATIBLE with
JEDEC STANDARD 2Mb x 8 SRAMs
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
M48Z2M1Y-70PL1
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
NVSRAM
- 技術(shù):
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存儲容量:
16Mb(2M x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
70ns
- 電壓 - 供電:
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
36-DIP 模塊
- 供應(yīng)商器件封裝:
36-PLDIP 模塊
- 描述:
IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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DIP |
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