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M45PE10-VMN6T集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
M45PE10-VMN6T |
| 參數(shù)屬性 | M45PE10-VMN6T 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 1MBIT SPI 75MHZ 8SO |
| 功能描述 | 1 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory With Byte-Alterability and a 25 MHz SPI Bus Interface |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 文件大小 |
426.82 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
34 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-2 19:00:00 |
| 人工找貨 | M45PE10-VMN6T價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
M45PE10-VMN6T規(guī)格書詳情
描述 Description
The M45PE10 is a 1 Mbit (128 Kb x 8 bit) Serial Paged Flash Memory accessed by a high speed SPI-compatible bus.
The memory can be written or programmed 1 to 256 bytes at a time, using the Page Write or Page Program instruction. The Page Write instruction consists of an integrated Page Erase cycle followed by a Page Program cycle.
特性 Features
■ SPI bus compatible serial interface
■ 50 MHz clock rate (maximum)
■ 2.7 V to 3.6 V single supply voltage
■ 1 Mbit of Page-Erasable Flash memory
■ Page size: 256 bytes
– Page Write in 11ms (typical)
– Page Program in 0.8 ms (typical)
– Page Erase in 10 ms (typical)
■ Sector Erase (512 Kbit)
■ Hardware Write protection of the bottom sector (64 Kbytes)
■ Electronic signature
– JEDEC standard two-byte signature (4011h)
■ Deep Power-down mode 1 μA (typical)
■ More than 100 000 Write cycles
■ More than 20 years’ data retention
■ Packages
– ECOPACK? (RoHS compliant)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
M45PE10-VMN6TP TR
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
非易失
- 存儲器格式：
閃存
- 技術(shù)：
FLASH - NOR
- 存儲容量：
1Mb（128K x 8）
- 存儲器接口：
SPI
- 寫周期時間 - 字，頁：
3ms
- 電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SO
- 描述：
IC FLASH 1MBIT SPI 75MHZ 8SO
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Micron |
24+ |
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20000 |
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ST |
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MICRON |
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SO8N |
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