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M3008316035NX0IBCY集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
M3008316035NX0IBCY |
參數(shù)屬性 | M3008316035NX0IBCY 封裝/外殼為48-LFBGA;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:8MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35N |
功能描述 | Parallel MRAM Memory x16 |
封裝外殼 | 48-LFBGA |
文件大小 |
673.75 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
26 頁 |
生產(chǎn)廠商 | RENESAS |
中文名稱 | 瑞薩 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-6 23:00:00 |
人工找貨 | M3008316035NX0IBCY價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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M3008316035NX0IBCY規(guī)格書詳情
特性 Features
? Interface
? Parallel Asynchronous x16
? Technology
? 40nm pMTJ STT-MRAM
? Data Retention (see Table 16. Endurance
and Data Retention Density)
? 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb
? Operating Voltage Range
? VCC: 2.70V – 3.60V
? Operating Temperature Range
? Industrial: -40°C to 85°C
? Industrial Plus: -40°C to 105°C
? RoHS Compliant & REACH Compliant
? Packages
? 44-pin TSOP (10mm x 18mm)
? 54-pin TSOP (10mm x 22mm)
? 48-ball FBGA (10mm x 10mm)
? Memory Array Organization
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
M3008316035NX0IBCY
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
RAM
- 技術(shù):
MRAM(磁阻式 RAM)
- 存儲容量:
8Mb(512K x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
35ns
- 電壓 - 供電:
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
48-LFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
48-FBGA(10x10)
- 描述:
8MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35N
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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14 |
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