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M29F010B70N6E集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

M29F010B70N6E
廠商型號

M29F010B70N6E

參數(shù)屬性

M29F010B70N6E 封裝/外殼為32-TFSOP(0.724",18.40mm 寬);包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP

功能描述

1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory

封裝外殼

32-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

文件大小

402.96 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-7 23:00:00

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M29F010B70N6E規(guī)格書詳情

SUMMARY DESCRIPTION

The M29F010B is a 1 Mbit (128Kb x8) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single 5V supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same way as a ROM or EPROM.

■ SINGLE 5V±10 SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 45 ns

■ PROGRAMMING TIME

– 8 μs per Byte typical

■ 8 UNIFORM 16 KBytes MEMORY BLOCKS

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte Program algorithm

– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during Erase Suspend

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per BLOCK

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1 ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code: 20h

■ ECOPACK? PACKAGES AVAILABLE

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    M29F010B70N6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NOR

  • 存儲容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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