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M28F101-120P1中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

M28F101-120P1
廠商型號

M28F101-120P1

功能描述

1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY

文件大小

197.89 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
STMICROELECTRONICS
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-4 13:01:00

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M28F101-120P1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The M28F101 FLASH Memory is a non-volatile memory which may be erased electrically at the

chip level and programmed byte-by-byte. It is or ganised as 128K bytes of 8 bits.It uses a command register architecture to select the operating modes and thus provides a simple microprocessor interface. The M28F101 FLASH Memory is suitable for applications where the memory has to be reprogrammed in the equipment. The access time of 70ns makes the device suitable for use in high speed microprocessor systems.

特性 Features

? 5V±10 SUPPLY VOLTAGE

? 12V PROGRAMMING VOLTAGE

? FAST ACCESS TIME: 70ns

? BYTE PROGRAMING TIME: 10μs typical

? ELECTRICAL CHIP ERASE in 1s RANGE

? LOW POWER CONSUMPTION

– Stand-by Current: 100μA max

? 10,000 ERASE/PROGRAM CYCLES

? INTEGRATED ERASE/PROGRAM-STOP TIMER

? OTP COMPATIBLE PACKAGES and PINOUTS

? ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code: 07h

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    M28F101-120P1

  • 功能描述:

    閃存 RO 511-M29F010B90P DIP-32 128KX8 120NS

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 數(shù)據(jù)總線寬度:

    1 bit

  • 存儲類型:

    Flash

  • 存儲容量:

    2 MB

  • 結(jié)構(gòu):

    256 K x 8

  • 接口類型:

    SPI

  • 電源電壓-最大:

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.3 V

  • 最大工作電流:

    15 mA

  • 工作溫度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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