M02N60B中文資料STANSON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
M02N60B |
| 功能描述 | N Channel MOSFET |
| 文件大小 |
221.2 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STANSON |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-6 20:00:00 |
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M02N60B規(guī)格書詳情
FEATURE
Robust High Voltage Temination.
Avalanche Energy Specified
Source-to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
Diode is Characterized for Use in Bridge Circurits
IDSSand VDS(on) Specified at Elevated Temperature
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
M02N60B
- 制造商：
STANSON
- 制造商全稱：
STANSON
- 功能描述：
N Channel MOSFET
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
24+ |
NA/ |
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FREESCALE |
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