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M01N60中文資料STANSON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

M01N60
廠商型號

M01N60

功能描述

N Channel MOSFET

文件大小

174.41 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

STANSON

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 23:00:00

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M01N60規(guī)格書詳情

[STANSON TECHNOLOGY]

Robust High Voltage Temination.

Avalanche Energy Specified

Source-to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode

Diode is Characterized for Use in Bridge Circurits

IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    M01N60

  • 功能描述:

    N Channel MOSFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
STANSON
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