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LY402中文資料POLYFET數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

LY402
廠商型號(hào)

LY402

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

文件大小

37.58 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

POLYFET

中文名稱(chēng)

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
POLYFET
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-2 14:06:00

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General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features low feedback and output capacitances resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

220.0 Watts Push - Pull

Package Style AY

HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    LY402

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全稱(chēng):

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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