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MCH6342	文件：533.78 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features ?LowOn-Resistance ?1.8Vdr	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MCH6342	文件：1.05712 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MCH6342-TL-H	文件：533.78 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features ?LowOn-Resistance ?1.8Vdr	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MCH6342-TL-W	文件：533.78 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features ?LowOn-Resistance ?1.8Vdr	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MHW6342	文件：60.35 Kbytes Page：2 Pages	77-Channel(550MHz)CATVAmplifier TheRFLine 77-Channel(550MHz)CATVAmplifier ...designedspecificallyfor550MHzCATVapplications.Featuresion–implantedarsenicemittertransistorswith7GHzfTandanallgoldmetallizationsystem. ?Specifiedfor77–ChannelPerformance ?BroadbandPowerGain-@f=40–550MHz	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MHW6342TN	文件：162.44 Kbytes Page：4 Pages	CATVAmplifierModule Description ?24VdcSupply,40to550MHz,CATVForwardAmplifierModule ?ReplacedMHW6342T.Therearenoform,fitorfunctionchangeswiththispartreplacement. ?RoHSCompliant Features ?Specifiedfor77-ChannelLoading ?ExcellentDistortionPerformance ?SuperiorGain,ReturnLoss	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體	freescale
NJU6342	文件：308.05 Kbytes Page：4 Pages	TRI-STATEBUFFER	NJRCNew Japan Radio 新日本無線株式會(huì)社	NJRC
NJU6342XC	文件：308.05 Kbytes Page：4 Pages	TRI-STATEBUFFER	NJRCNew Japan Radio 新日本無線株式會(huì)社	NJRC
NJU6342XE	文件：308.05 Kbytes Page：4 Pages	TRI-STATEBUFFER	NJRCNew Japan Radio 新日本無線株式會(huì)社	NJRC
NX6342EP	文件：202.04 Kbytes Page：7 Pages	LASERDIODE1310nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODEFOR10Gb/sBASE-LR/LWAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6342EPisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD. FEATURES ?OpticaloutputpowerPO=8.5mW ?LowthresholdcurrentIth=8mA ?Differentialefficiencyηd=0.23W/A ?Wideoperatingtemperatur	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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