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LTC4446數(shù)據(jù)手冊(cè)集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

LTC4446

參數(shù)屬性

LTC4446 封裝/外殼為8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP

功能描述

高電壓高壓側(cè)/低壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP

封裝外殼

8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)裸露焊盤

制造商

ADI Analog Devices

中文名稱

亞德諾 亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-19 23:01:00

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LTC4446規(guī)格書詳情

描述 Description

LTC?4446 是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,可利用一個(gè) DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關(guān)損耗。LTC4446 用于頂端柵極驅(qū)動(dòng)器的上拉電路具有 2.5A 的峰值輸出電流,而其下拉電路則具有 1.2Ω 的輸出阻抗。用于底端柵極驅(qū)動(dòng)器的上拉電路具有 3A 的峰值輸出電流,而其下拉電路則具有 0.55Ω 的輸出阻抗。 LTC4446 針對(duì)兩個(gè)與電源無關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部被電平移位至自舉電源,此電源可以在高出地電位達(dá) 114V 的電壓條件下運(yùn)行。 LTC4446 包含欠壓閉鎖電路,用于在器件啟動(dòng)時(shí)停用外部 MOSFET。 LTC4446 采用耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 MSOP 封裝。 LTC4446 不具備自適應(yīng)貫通保護(hù)功能。如需了解具自適應(yīng)貫通保護(hù)功能的相似驅(qū)動(dòng)器,請(qǐng)查閱下表。 參數(shù) LTC4446 LTC4444 LTC4444-5 貫通保護(hù)功能 無 有 有 絕對(duì)最大TS 100V 100V 100V MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電壓 7.2V 至 13.5V 7.2V 至 13.5V 4.5V 至 13.5V VCC UV+ 6.6V 6.6V 4V VCC UV– 6.15V 6.15V 3.5V Applications 分布式電源架構(gòu) 汽車電源 高密度電源模塊 電信系統(tǒng)

特性 Features

? 自舉電源電壓高至 114V

? 寬 VCC 電壓:7.2V 至 13.5V

? 2.5A 峰值頂端柵極上拉電流

? 3A 峰值底端柵極上拉電流

? 1.2Ω 頂端柵極驅(qū)動(dòng)器下拉電阻

? 0.55Ω 底端柵極驅(qū)動(dòng)器下拉電阻

? 5ns 頂端柵極下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載

? 8ns 頂端柵極上升時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載

? 3ns 底端柵極下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載

? 6ns 底端柵極上升時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載

? 可驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET

? 具欠壓閉鎖功能

? 耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 MSOP 封裝

簡(jiǎn)介

LTC4446屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由制造生產(chǎn)的LTC4446柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    LTC4446EMS8E#TRPBF

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    7.2V ~ 13.5V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.85V,3.25V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    2.5A,3A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    8ns,5ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-MSOP-EP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP

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