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LTC1157數(shù)據(jù)手冊集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF

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廠商型號

LTC1157

參數(shù)屬性

LTC1157 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

功能描述

3.3V、雙通道、微功率、高壓側(cè) / 低壓側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

制造商

ADI Analog Devices

中文名稱

亞德諾 亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-20 18:58:00

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LTC1157規(guī)格書詳情

描述 Description

LTC?1157 雙通道 3.3V 微功率 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器使得能夠通過一個(gè)低 RDS(ON) N 溝道開關(guān) (在 3.3V 時(shí)需要采用 N 溝道開關(guān),因?yàn)?P 溝道 MOSFET 在 VGS ≤ 3.3V 時(shí)不具備有保證的 RDS(ON)) 切換電源或接地參考負(fù)載。LTC1157 的內(nèi)部充電泵把柵極驅(qū)動(dòng)電壓提升至正電源軌以上達(dá) 5.4V (比地電位高 8.7V),從而全面地強(qiáng)化了一個(gè)邏輯電平 N 溝道開關(guān) (對于 3.3V 高壓側(cè)應(yīng)用) 和一個(gè)標(biāo)準(zhǔn) N 溝道開關(guān) (對于 3.3V 低壓側(cè)應(yīng)用)。在 5V 時(shí)的柵極驅(qū)動(dòng)電壓通常高于電源達(dá) 8.8V (比地電位高 13.8V),因此標(biāo)準(zhǔn) N 溝道 MOSFET 開關(guān)可用于高壓側(cè)和低壓側(cè)應(yīng)用。?

微功率操作 (具有 3μA 待用電流和 80μA 工作電流) 使 LTC1157 非常適合電池供電型應(yīng)用。

LTC1157 可提供 8 引腳 DIP 封裝 SOIC 封裝。

特性 Features

? 可提供最低壓降 3.3V 電源切換

? 可依靠 3.3V 或 5V 標(biāo)稱電源工作

? 3μA 待用電流

? 80μA 導(dǎo)通電流

? 驅(qū)動(dòng)低成本 N 溝道功率 MOSFET

? 無外部充電泵組件

? 受控接通和關(guān)斷時(shí)間

? 可兼容 3.3V 或 5V 邏輯器件系列

? 采用 8 引腳 SOIC 封裝

簡介

LTC1157屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由制造生產(chǎn)的LTC1157柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    LTC1157CS8#PBF

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    高壓側(cè)或低壓側(cè)

  • 通道類型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    3.3V ~ 5V

  • 輸入類型:

    非反相

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SO

  • 描述:

    IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

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