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MBR10120CT

SchottkyDiodes

Features ●Highfrequencyoperation ●Lowforwardvoltagedrop ●Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationforenhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance ●Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability ●Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106 TypicalAp

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司

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MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

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RFERFE international

RFE國際公司RFE國際股份有限公司

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10Amp.SchottkyBarrierRectifiers

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

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FullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers

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統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

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統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

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MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

MR10120E

10ASCHOTTKYRECTIFIER

DIGITRON

Digitron Semiconductors

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MICROWAVEPOWERTRANSISTOR

TheRFLine MicrowaveLongPulsePowerTransistor Designedfor960–1215MHzlongpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasJTIDSandModeStransmitters. ?GuaranteedPerformance@1.215GHz,36Vdc OutputPower=120WattsPeak Gain=8.0dBMin.,9.2dB(Typ) ?100Testedfor

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF10120

MICROWAVEPOWERTRANSISTORNPNSILICON

TheRFLine MicrowaveLongPulsePowerTransistor Designedfor960–1215MHzlongpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasJTIDSandModeStransmitters. ?GuaranteedPerformance@1.215GHz,36Vdc OutputPower=120WattsPeak Gain=7.6dBMin.,8.5dB(Typ) ?100Testedfo

MACOMTyco Electronics

瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司

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