LPT16ED中文資料30 GHz SiGe Bipolar Transistor Final數(shù)據(jù)手冊Skyworks規(guī)格書
| 廠商型號 |
LPT16ED |
| 參數(shù)屬性 | LPT16ED 封裝/外殼為模具；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 4V 16GHZ DIE |
| 功能描述 | 30 GHz SiGe Bipolar Transistor Final |
| 封裝外殼 | 模具 |
| 制造商 | Skyworks Skyworks Solutions Inc. |
| 中文名稱 | 思佳訊 美國思佳訊公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-8 18:09:00 |
| 人工找貨 | LPT16ED價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
LPT16ED規(guī)格書詳情
簡介
LPT16ED屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由制造生產(chǎn)的LPT16ED晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
LPT16ED
- 制造商：
Skyworks Solutions Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
4V
- 頻率 - 躍遷：
16GHz
- 增益：
5.2dB
- 功率 - 最大值：
250mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，2V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
80mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
模具
- 供應(yīng)商器件封裝：
模具
- 描述：
RF TRANS NPN 4V 16GHZ DIE
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HCT |
24+ |
DIP40 |
500000 |
行業(yè)低價(jià),代理渠道 |
詢價(jià) | ||
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23+ |
NA |
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Skyworks Solutions Inc. |
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新 |
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全新原裝 貨期兩周 |
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24+ |
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24+ |
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原裝現(xiàn)貨,免費(fèi)供樣,技術(shù)支持,原廠對接 |
詢價(jià) |
