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LP801中文資料POLYFET數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

LP801
廠商型號

LP801

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

文件大小

35.73 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

POLYFET

網(wǎng)址

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更新時間

2025-9-1 8:21:00

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LP801規(guī)格書詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

15.0 Watts Single Ended Package Style AP

HIGH EFFICIENCY, LINEAR

HIGH GAIN, LOW NOISE

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE

RF POWER TRANSISTOR LDMOS

ROHS COMPLIANT

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    LP801

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全稱:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
HARRIS/哈里斯
23+
SOP
98900
原廠原裝正品現(xiàn)貨!!
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