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MK5812	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features ?Packagedin8-pinSOIC ?Providesaspreadspectrumoutputclock ?Supportsflatpanelcontrollers ?Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) ?Inputfrequencyrangeof4to32MHz ?Outputfrequencyrangeof8to64MHz ?2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
MK5812	文件：384.14 Kbytes Page：11 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features ?Packagedin8-pinSOIC ?Pb(lead)freepackage,RoHScompliant ?Providesaspreadspectrumoutputclock ?Supportsprintersandflatpanelcontrollers ?Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) ?Inputfrequencyrangeof4to32MHz ?Outputf	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
MK5812SLF	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features ?Packagedin8-pinSOIC ?Providesaspreadspectrumoutputclock ?Supportsflatpanelcontrollers ?Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) ?Inputfrequencyrangeof4to32MHz ?Outputfrequencyrangeof8to64MHz ?2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
MK5812SLFTR	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features ?Packagedin8-pinSOIC ?Providesaspreadspectrumoutputclock ?Supportsflatpanelcontrollers ?Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) ?Inputfrequencyrangeof4to32MHz ?Outputfrequencyrangeof8to64MHz ?2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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MRF5812	文件：27.13 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFMICROWAVETRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF5812isDesignedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. FEATURES: ?LowNoise–2.5dB@500MHz ?Ftau–5.0GHz@10V,75mA ?CostEffectiveSO-8package	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF5812	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF5812G	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
NTE5812	文件：15.21 Kbytes Page：1 Pages	6AmpPlasticSiliconRectifier 6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5812	文件：19.79 Kbytes Page：1 Pages	NTE5812thruNTE58176AmpPlasticSiliconRectifier 6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody	NTE NTE Electronics	NTE

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