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MVCO710

SMTVoltageControlledOscillator

BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD.

博威集成電路河北博威集成電路有限公司

MZ710

3WATTGLASSZENERDIODES

FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

NA-710

SupportsCaviumCN1005acceleratoronboard

AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd.

艾訊科技艾訊股份有限公司

NDB710A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

NDB710A

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NDB710AE

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

NDB710AE

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=38mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NDB710B

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

NDB710B

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NDB710BE

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    LMV710IDBVR

  • 功能描述：

    運算放大器 - 運放 Sngl Lo-Pwr RRIO Hi Out Crnt Drv/Shtdwn

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 通道數(shù)量：

    4

  • 共模抑制比（最小值）：

    63 dB

  • 輸入補償電壓：

    1 mV

  • 輸入偏流（最大值）：

    10 pA

  • 工作電源電壓：

    2.7 V to 5.5 V

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    QFN-16

  • 轉(zhuǎn)換速度：

    0.89 V/us

  • 關(guān)閉：

    No

  • 輸出電流：

    55 mA

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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