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MMBD1204	文件：41.05 Kbytes Page：2 Pages	HighConductanceUltraFastDiode HighConductanceUltraFastDiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
MMBD1204	文件：53.07 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBD1204	文件：47.19 Kbytes Page：4 Pages	HighConductanceUltraFastDiode HighConductanceUltraFastDiode SourcedfromProcess1P.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBD1204	文件：656.36 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiodes	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
MMBD1204	文件：306.36 Kbytes Page：8 Pages	SmallSignalDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MS1204	文件：102.47 Kbytes Page：3 Pages	RFANDMICROWAVETRANSISTORSHFSSBAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheSD1019isa28voltepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforVHFcommunications.ThisdeviceutilizesnichromealuminummetallizationtoachieveinfiniteVSWRatratedoperatingconditions. Features ●CLASSCTRANSISTOR ●FREQUENCY136MHz ●VOLTAGE28V	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
NUS1204MN	文件：59.77 Kbytes Page：5 Pages	OvervoltageProtectionICwithIntegratedMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVR-1204	文件：969.53 Kbytes Page：3 Pages	Recordingupto10MPresolution	LVL1 Level One	LVL1
OPB1204	文件：102.01 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPhotoTransistor Structure 1.1ChipSize:1.2mmX0.45mm 1.2Chipthickness:230±20um 1.3Metallization:Top-Al(2um),Bottom-Au 1.4BackMetal:Au(1,000?) 1.5Passivation:SiliconNitride 1.6BondingPadSize -Emitter:130um -Base:60umX60um	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
PCP1204	文件：260.41 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorDC/DCConverterApplications NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses. ?Highcurrentcapacitance. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?Highspeedswitching. ?Highallowablepowerdissipation. ?Halogenfreecompliance. Applications ?DC/DCconverters,relayd	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO

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