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MSN6504F	文件：658.12 Kbytes Page：5 Pages	650V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導體摩矽半導體有限公司	MORESEMI
MSN6504Z	文件：726.8 Kbytes Page：5 Pages	650V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導體摩矽半導體有限公司	MORESEMI
N6504NZ	文件：303.85 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET650V,5.5A,2.1? Description TheN6504NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=2.1?MAX.(VGS=10V,ID=2.75A) ?Lowinputcapacitance Ciss=950pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) ?Highcurrent ID(DC)=±5.5	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NX6504	文件：336.5 Kbytes Page：13 Pages	LASERDIODE 1550nmFOR156Mb/s,622Mb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6504Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW)structured DistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.This deviceisidealforSynchronousDigitalHierarchy(SDH)system,STM-1,STM-	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NX6504GH	文件：95.32 Kbytes Page：4 Pages	1550nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFORFIBEROPTICCOMMUNICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
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