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RKR0303BKJ	文件：199.35 Kbytes Page：8 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforRectifying Features ?Lowreversecurrentdropandsuitableforhighefficiencyrectifying. ?UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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RQJ0303PGDQA	文件：105.05 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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RQK0303MGDQATL-E	文件：488.26 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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