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N0202R	文件：104.47 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FEATURES ●ComplementstoN0202S. ●VCEO=-20V ●IC(DC)=-2.0A ●MiniaturepackageSOT-23F(2SB1114:Packagevariationof3pPoMM)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NCE0202M	文件：288.78 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE0202Musesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=200V,ID=2A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0202VA	文件：318.41 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0202Z	文件：320.68 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0202ZA	文件：321.94 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NTR0202PL	文件：141.73 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET-20V,-400mA,P-ChannelSOT-23Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTR0202PL	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET-20V,-400mA,P-ChannelSOT-23Package PowerMOSFET ?20V,?400mA,P?ChannelSOT?23Package Features ?LowRDS(on)ProvidesHigherEfficiencyandExtendsBatteryLife RDSon=0.80Ω,VGS=?10V RDSon=1.10Ω,VGS=?4.5V ?MiniatureSOT?23SurfaceMountPackageSavesBoardSpace ?Pb?FreePackagesareAvailable Applicat	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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NVTR0202PL	文件：127.7 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET??0V,??00mA,P??hannelSOT??3Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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