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LMG1210集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

LMG1210
廠商型號(hào)

LMG1210

參數(shù)屬性

LMG1210 封裝/外殼為19-WFQFN 裸露焊盤;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR GAN MOSFET

功能描述

200-V, 1.5-A, 3-A Half-Bridge GaN Driver With Adjustable Dead Time

封裝外殼

19-WFQFN 裸露焊盤

文件大小

601.79 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商

TI1

中文名稱

德州儀器

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-6 23:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    LMG1210RVRR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.25V,6V ~ 18V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1.5A,3A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    500ps,500ps

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝,可潤濕側(cè)翼

  • 封裝/外殼:

    19-WFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    19-WQFN(3x4)

  • 描述:

    IC GATE DRVR GAN MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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