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LM7481

LM7481 3-V to 65-V Ideal Diode Controller Driving Back to Back NFETs

1Features ?Qualifiedforextendedtemperatureapplications –Devicetemperature: –55°Cto+125°Cambientoperating temperaturerange ?3-Vto65-Vinputrange ?Reverseinputprotectiondownto–65V ?DrivesexternalbacktobackN-channelMOSFETs ?Idealdiodeoperationwith9.1-mVAt

LM7481

具有更高柵極驅(qū)動、溫度范圍為 -55°C 至 125°C 的 3V 至 65V 背對背 NFET 理想二極管控制器;

LM74810

LM7481 3-V to 65-V Ideal Diode Controller Driving Back to Back NFETs

1Features ?Qualifiedforextendedtemperatureapplications –Devicetemperature: –55°Cto+125°Cambientoperating temperaturerange ?3-Vto65-Vinputrange ?Reverseinputprotectiondownto–65V ?DrivesexternalbacktobackN-channelMOSFETs ?Idealdiodeoperationwith9.1-mVAt

LM74810MDRRR

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/t74810/marking.html">T74810；Package：WSON；LM7481 3-V to 65-V Ideal Diode Controller Driving Back to Back NFETs

1Features ?Qualifiedforextendedtemperatureapplications –Devicetemperature: –55°Cto+125°Cambientoperating temperaturerange ?3-Vto65-Vinputrange ?Reverseinputprotectiondownto–65V ?DrivesexternalbacktobackN-channelMOSFETs ?Idealdiodeoperationwith9.1-mVAt

LM7481-Q1

支持驅(qū)動背對背 NFET、具有高柵極驅(qū)動能力的 3V 至 65V、汽車?yán)硐攵O管控制器; ? 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn) \n? 器件溫度等級 1： –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍\n? 器件 HBM ESD 分類等級 2\n? 器件 CDM ESD 分類等級 C4B\n \n? 3V 至 65V 輸入范圍\n? 反向輸入保護(hù)低至 –65V\n? 驅(qū)動外部背對背 N 溝道 MOSFET\n? 9.1mV 陽極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)下，理想二極管正常運行\(zhòng)n? 低反向檢測閾值 (–4mV)，能夠快速響應(yīng) (0.5μs)\n? 高達(dá) 200KHz 的有源整流\n? 60mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流\n? 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流\n? 集成 3.8mA 電荷泵\n? 可調(diào)節(jié)過壓保護(hù)\n? 2.87μA 低關(guān)斷電流（EN/UVLO = 低電平）\n? 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流\n? 采用合適的 TVS 二極管，符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求\n? 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝;

LM74810-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET，從而模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管，以實現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。具有 60mA 峰值柵極拉電流驅(qū)動器級以及短導(dǎo)通和關(guān)斷延遲時間的 3.8mA 強電荷泵可確?？焖俚乃矐B(tài)響應(yīng)，從而確保在汽車測試（如 ISO16750 或 LV124）期間實現(xiàn)穩(wěn)健、高效的 MOSFET 開關(guān)性能，在汽車測試中 ECU 會收到輸入短時中斷以及頻率高達(dá) 200KHz 的交流疊加輸入信號。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下，該器件允許負(fù)載斷開（開/關(guān)控制）并使用 HGATE 控制提供過壓保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護(hù)功能，以提供負(fù)載突降保護(hù)。

LM7481-Q1

LM7481 3-V to 65-V Ideal Diode Controller Driving Back to Back NFETs

1Features ?Qualifiedforextendedtemperatureapplications –Devicetemperature: –55°Cto+125°Cambientoperating temperaturerange ?3-Vto65-Vinputrange ?Reverseinputprotectiondownto–65V ?DrivesexternalbacktobackN-channelMOSFETs ?Idealdiodeoperationwith9.1-mVAt

LM74810-Q1

LM74810-Q1 Ideal Diode Controller with Active Rectification and Load Dump Protection

LM74810QDRRRQ1

LM74810-Q1 Ideal Diode Controller with Active Rectification and Load Dump Protection

LM7481-Q1

LM74810-Q1 Ideal Diode Controller with Active Rectification and Load Dump Protection

LM74810EVM

包裝：散裝 功能：理想二極管控制器 類別：開發(fā)板，套件，編程器 評估和演示板及套件 描述：LM7481-Q1 IDEAL DIODE CONTROLLER