LM7480-Q1數(shù)據(jù)手冊(cè)TI中文資料規(guī)格書

廠商型號(hào) |
LM7480-Q1 |
功能描述 | 用于驅(qū)動(dòng)背對(duì)背 NFET 的 3V 至 65V、汽車?yán)硐攵O管控制器 |
制造商 | TI Texas Instruments |
中文名稱 | 德州儀器 美國德州儀器公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-20 20:00:00 |
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描述 Description
LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET,從而模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動(dòng)第一個(gè) MOSFET 來代替肖特基二極管,以實(shí)現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。在電源路徑中使用了第二個(gè) MOSFET 的情況下,該器件允許負(fù)載斷開(開/關(guān)控制)并使用 HGATE 控制提供過壓保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護(hù)功能。LM7480-Q1 有兩種型號(hào):LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用線性穩(wěn)壓和比較器方案來實(shí)現(xiàn)反向電流阻斷功能,而 LM74801-Q1 支持基于比較器的方案。通過功率 MOSFET 的共漏極配置,可以使用另一個(gè)理想二極管將中點(diǎn)用于 OR-ing 設(shè)計(jì)。LM7480x-Q1 的最大額定電壓為 65V。通過在共源極拓?fù)渲袨槠骷渲猛獠?MOSFET,可以保護(hù)負(fù)載免受過壓瞬態(tài)(例如 24V 電池系統(tǒng)中未抑制的 200V 負(fù)載突降)的影響。
特性 Features
? 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
? 器件溫度等級(jí) 1: –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
? 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 2
? 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
? 3V 至 65V 輸入范圍
? 反向輸入保護(hù)低至 –65V
? 在共漏極和共源極配置下,可驅(qū)動(dòng)外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET
? 10.5mV 陽極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)下,理想二極管正常運(yùn)行 (LM74800-Q1)
? 低反向檢測(cè)閾值 (–4.5mV),能夠快速響應(yīng) (0.5μs)
? 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
? 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
? 可調(diào)節(jié)過壓保護(hù)
? 2.87μA 低關(guān)斷電流(EN/UVLO = 低電平)
? 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
? 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
:LM7480-Q1
- 生產(chǎn)廠家
:TI
- Vin (Max) (V)
:65
- Features
:Linear control
- Iq (Typ) (mA)
:0.412
- Iq (Max) (mA)
:0.495
- IGate source (Typ) (uA)
:20000
- IGate sink (Typ) (mA)
:2670
- IGate pulsed (Typ) (A)
:2.6
- Operating temperature range (C)
:-40 to 125
- VSense reverse (Typ) (mV)
:-4.5
- Design support
:EVM
- Rating
:Automotive
- Channel(s) controlled (#)
:2
- FET
:External
- VGS (Max) (V)
:15
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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