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LM5113SD/NOPB

LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM5113SD/NOPB

Package:10-WDFN 裸露焊盤;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

TI2Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM5113SDE

5A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM5113SDE

LM51135A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM5113SDE/NOPB

LM51135A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM5113SDESLASHNOPB

LM51135A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM5113SDSLASHNOPB

LM51135A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM5113SDX

LM51135A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM5113SDX

5A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LM5113SDX/NOPB

LM51135A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    LM5113SD/NOPB

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.76V,1.89V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1.2A,5A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    7ns,1.5ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    10-WDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝:

    10-WSON(4x4)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多LM5113SD/NOPB供應商 更新時間2025-7-29 13:51:00