描述 Description

LM5113-Q1 專為同時驅(qū)動采用同步降壓、升壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè)增強模式氮化鎵 (GaN) FET 或硅質(zhì) MOSFET 而設(shè)計，適用于汽車 應(yīng)用。此器件具有一個集成于內(nèi)部的 100V 自舉二極管，還為高側(cè)和低側(cè)輸出分別提供了獨立的輸入，可實現(xiàn)最大程度的靈活控制。高側(cè)偏置電壓在內(nèi)部被鉗位為 5.2V，可防止柵極電壓超過增強模式 GaN FET 的最大柵極/源極電壓額定值。器件的輸入與 TTL 邏輯兼容，無論 VDD 電壓多高，它都能夠承受高達 14V 的輸入電壓。LM5113-Q1 具有分柵輸出的能力，可獨立靈活地調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷強度。

此外，LM5113-Q1 具有非?？煽康墓嚯娏髂芰Γ箹艠O保持低電平，從而防止開關(guān)操作期間發(fā)生誤導(dǎo)通。LM5113-Q1 的工作頻率最高可達數(shù) MHz。LM5113-Q1 采用帶有裸露焊盤的標準 10 引腳 WSON 封裝，可改善功耗。

特性 Features

? 符合汽車應(yīng)用 標準
? 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
? 器件溫度 1 級：–40°C 至 125°C 的環(huán)境工作溫度范圍
? 器件 HBM ESD 分類等級 1C
? 器件帶電器件模型 (CDM) ESD 分類等級 C6

? 獨立的高側(cè)和低側(cè)TTL 邏輯輸入
? 1.2A 峰值拉電流能力，5A 峰值灌電流能力
? 高側(cè)浮動偏置電壓軌工作電壓高達 100VDC
? 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位
? 分離輸出實現(xiàn)可調(diào)的開通和關(guān)斷應(yīng)力
? 0.6? 下拉電阻，2.1? 上拉電阻
? 快速傳播時間（典型值為 28ns）
? 優(yōu)異的傳播延遲（典型值為 1.5ns)
? 電源軌欠壓鎖定
? 低功耗