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LM5110-2M

Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LM5110-2M

LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM5110-2M

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM5110-2MSLASHNOPB

LM5110 Dual 5-A Compound Gate Driver With Negative Output Voltage Capability

1Features 1?IndependentlyDrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?CompoundCMOSandBipolarOutputsReduce OutputCurrentVariation ?5Asink/3ASourceCurrentCapability ?TwoChannelscanbeConnectedinParallelto DoubletheDriveCurrent ?IndependentInputs(TTLCompatible) ?FastPropagati

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM5110-2MSLASHNOPB.A

LM5110 Dual 5-A Compound Gate Driver With Negative Output Voltage Capability

1Features 1?IndependentlyDrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?CompoundCMOSandBipolarOutputsReduce OutputCurrentVariation ?5Asink/3ASourceCurrentCapability ?TwoChannelscanbeConnectedinParallelto DoubletheDriveCurrent ?IndependentInputs(TTLCompatible) ?FastPropagati

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM5110-2MSLASHNOPB.B

LM5110 Dual 5-A Compound Gate Driver With Negative Output Voltage Capability

1Features 1?IndependentlyDrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?CompoundCMOSandBipolarOutputsReduce OutputCurrentVariation ?5Asink/3ASourceCurrentCapability ?TwoChannelscanbeConnectedinParallelto DoubletheDriveCurrent ?IndependentInputs(TTLCompatible) ?FastPropagati

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM5110-2MXSLASHNOPB

LM5110 Dual 5-A Compound Gate Driver With Negative Output Voltage Capability

1Features 1?IndependentlyDrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?CompoundCMOSandBipolarOutputsReduce OutputCurrentVariation ?5Asink/3ASourceCurrentCapability ?TwoChannelscanbeConnectedinParallelto DoubletheDriveCurrent ?IndependentInputs(TTLCompatible) ?FastPropagati

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM5110-2MXSLASHNOPB.A

LM5110 Dual 5-A Compound Gate Driver With Negative Output Voltage Capability

1Features 1?IndependentlyDrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?CompoundCMOSandBipolarOutputsReduce OutputCurrentVariation ?5Asink/3ASourceCurrentCapability ?TwoChannelscanbeConnectedinParallelto DoubletheDriveCurrent ?IndependentInputs(TTLCompatible) ?FastPropagati

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM5110-2MXSLASHNOPB.B

LM5110 Dual 5-A Compound Gate Driver With Negative Output Voltage Capability

1Features 1?IndependentlyDrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?CompoundCMOSandBipolarOutputsReduce OutputCurrentVariation ?5Asink/3ASourceCurrentCapability ?TwoChannelscanbeConnectedinParallelto DoubletheDriveCurrent ?IndependentInputs(TTLCompatible) ?FastPropagati

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM5110-2M/NOPB

Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    LM5110-2M

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    低端

  • 通道類型：

    獨(dú)立式

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    3.5V ~ 14V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，2.2V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    3A，5A

  • 輸入類型：

    反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    14ns，12ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TI/德州儀器
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更多LM5110-2M供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-20 14:13:00

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