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LM5109B-Q1	文件：300 bytes Page：1 Pages	具有 8V UVLO 和高抗擾度的汽車類 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器; ? 符合汽車類應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)\n? 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果 \n? 器件溫度 1 級(jí) \n? 器件人體放電模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級(jí) 1C\n? 器件組件充電模型 (CDM) ESD 分類等級(jí) C4A\n \n? 可驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)\n? 1A 峰值輸出電流（1.0A 灌電流/1.0A 拉電流）\n? 獨(dú)立的晶體管-晶體管邏輯電路/互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (TTL/CMOS) 兼容輸入\n? 自舉電源電壓高達(dá) 108V（直流）\n? 短暫傳播時(shí)間（典型值為 30ns）\n? 可以 15ns 的上升和下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載\n? 優(yōu)異的傳播延遲匹配（典型值為 2ns)\n? 電源軌欠壓鎖定\n? 低功耗\n? 耐熱增強(qiáng)型晶圓級(jí)小外形無(wú)引線 (WSON)-8 封裝; LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用同步降壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。懸空高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 90V 的電源軌電壓下工作。輸出通過(guò)兼容 TTL/CMOS 的邏輯輸入閾值獨(dú)立控制。穩(wěn)健可靠的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)同時(shí)擁有高運(yùn)行速度和低功耗特性，并且可提供從控制輸入邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈電平轉(zhuǎn)換。該器件在低側(cè)和高側(cè)電源軌上提供了欠壓鎖定功能。該器件采用耐熱增強(qiáng)型 WSON(8) 封裝。	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
LM5109B-Q1	文件：755.51 Kbytes Page：22 Pages	High Voltage 1-A Peak Half Bridge Gate Driver	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI

零件編號(hào)

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LOGO

LM5109B-Q1

文件：300 bytes

Page：1 Pages

具有 8V UVLO 和高抗擾度的汽車類 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器; ? 符合汽車類應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)\n? 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果 \n? 器件溫度 1 級(jí) \n? 器件人體放電模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級(jí) 1C\n? 器件組件充電模型 (CDM) ESD 分類等級(jí) C4A\n \n? 可驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)\n? 1A 峰值輸出電流（1.0A 灌電流/1.0A 拉電流）\n? 獨(dú)立的晶體管-晶體管邏輯電路/互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (TTL/CMOS) 兼容輸入\n? 自舉電源電壓高達(dá) 108V（直流）\n? 短暫傳播時(shí)間（典型值為 30ns）\n? 可以 15ns 的上升和下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載\n? 優(yōu)異的傳播延遲匹配（典型值為 2ns)\n? 電源軌欠壓鎖定\n? 低功耗\n? 耐熱增強(qiáng)型晶圓級(jí)小外形無(wú)引線 (WSON)-8 封裝;

LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用同步降壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。懸空高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 90V 的電源軌電壓下工作。輸出通過(guò)兼容 TTL/CMOS 的邏輯輸入閾值獨(dú)立控制。穩(wěn)健可靠的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)同時(shí)擁有高運(yùn)行速度和低功耗特性，并且可提供從控制輸入邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈電平轉(zhuǎn)換。該器件在低側(cè)和高側(cè)電源軌上提供了欠壓鎖定功能。該器件采用耐熱增強(qiáng)型 WSON(8) 封裝。

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM5109B-Q1

文件：755.51 Kbytes

Page：22 Pages

High Voltage 1-A Peak Half Bridge Gate Driver

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

技術(shù)參數(shù)

Power switch：
MOSFET
Input VCC (Min) (V)：
8
Input VCC (Max) (V)：
14
Peak output current (A)：
1
Rise time (ns)：
15
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Undervoltage lockout (Typ)：
8
Rating：
Automotive
Number of channels (#)：
2
Fall time (ns)：
15
Prop delay (ns)：
30
Iq (uA)：
10
Input threshold：
TTL
Channel input logic：
TTL
Negative voltage handling at HS pin (V)：
-1
Features：
—

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市恒科翔業(yè)電子有限公司	LM5109B-Q1	TI德州儀器	22+		24000	原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市中億偉業(yè)電子有限公司	LM5109B-Q1	TI/德州	2018+	WSON	32500	德州代理承諾銷售原裝正品公司可開正規(guī)17%增值稅票	詢價(jià)
兆億微波(北京)科技有限公司	LM5109B-Q1	TI			500		詢價(jià)
深圳市納立科技有限公司	LM5109BQNGTRQ1	TI	三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)
瑞航達(dá)科技(深圳)有限公司	LM5109BQNGTRQ1	TI	16+	WSON	10000	原裝正品	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	LM5109BQNGTRQ1	TI	20+	NA	53650	TI原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
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深圳市科雨電子有限公司	LM5109BQNGTRQ1	TI	20+	DFN-8	4500	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市冠億通科技有限公司	LM5109BQNGTRQ1	Texas	25+		25000	原廠原包深圳現(xiàn)貨主打品牌假一賠百可開票!	詢價(jià)
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技術(shù)參數(shù)

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