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MBR5100

5.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE

Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

MBR5100

HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

MBR5100D

SurfaceMountSchottkyRectifiers

JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd.

廣東鉅興電子廣東鉅興電子科技有限公司

MBR5100D

PowerSchottkyRectifier-5Amp100~200Volt

□Features -PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 -HighJunctionTemperatureCapability -Lowforwardvoltage,highcurrentcapability -Highsurgecapacity -Lowpowerloss,highefficiency

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司

MBR5100DS

SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier

FEATURES ?Highcurrentcapability ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecapability ?Hightemperaturesolderingguaranteed ?Mountingposition:any ?LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

MBR5100G

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ?Forthroughholeapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity ?Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters,freewheeling,a

DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd.

迪一電子山東迪一電子科技有限公司

MBR5100G

5.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE

5.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE ●SchottkyBarrierChip ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●ForUseinLowVoltageApplication ●GuardRingDieConstruction ●PlasticCaseMaterialhasULFlammabilityClassificationRating94V-O

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

MBR5100MFS

SWITCHMODEPowerRectifiers

Features ?LowPowerLoss/HighEfficiency ?NewPackageProvidesCapabilityofInspectionandProbeAfterBoardMounting ?GuardringforStressProtection ?LowForwardVoltageDrop ?175°COperatingJunctionTemperature ?NRVBPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring Uni

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBR5100MFS

Switch-modePowerRectifiers

Features ?LowPowerLoss/HighEfficiency ?NewPackageProvidesCapabilityofInspectionandProbeAfter BoardMounting ?GuardringforStressProtection ?LowForwardVoltageDrop ?175°COperatingJunctionTemperature ?NRVBPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring Uniqu

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBR5100S

SCHOTTKYRECTIFIER

Features: ?DesignedasBypassDiodesforSolarPanels ?HighForwardSurgeCapability ?UltraLowForwardVoltageDrop ?ExcellentHighTemperatureStability ?ThisisaPb?FreeDevice ?AllSMCpartsaretraceabletothewaferlot ?Additionaltestingcanbeoffereduponrequest Applic

SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd

燒結(jié)金屬

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    LM5100CMYE/NOPB

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    獨(dú)立式

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    9V ~ 14V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    2.3V，-

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    1A，1A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    990ns，715ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-PowerTSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-MSOP-PowerPad

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TI(德州儀器)
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深耕行業(yè)12年,可提供技術(shù)支持。
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原裝正品,支持實(shí)單
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更多LM5100CMYE/NOPB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:54:00

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