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LET21030C中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

LET21030C
廠商型號

LET21030C

功能描述

RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology

文件大小

62.62 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-1 10:13:00

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LET21030C規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The LET21030C is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 2.1 GHz. The LET21030C is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 26 V. Its internal matching makes it ideal for base station applications requiring high linearity.

Designed for GSM / EDGE / IS-97 / WCDMA applications

? EXCELLENT THERMAL STABILITY

? POUT = 30 W with 11 dB gain @ 2170 MHz

? BeO FREE PACKAGE

? INTERNAL INPUT MATCHING

? ESD PROTECTION

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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