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NCE6003

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?BatterySwitch ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

NCE6003M

LCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

NCE6003M

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6003Musesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature ●VDS=60V,ID=3.0A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE6003X

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6003Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE6003XM

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6003XMusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE6003XY

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6003XYusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE6003Y

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE6003Y

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?BatterySwitch ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

NFT6003

AdvancedProcessTechnology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

NMC-6003

2Ports100GbEQSFP28NetworkMezzanineCard

Features ?SinglehostNICsolutionbyusingIntelE810-CAM2 ?Overlaynetworkssupport:VxLAN&NVGRE ?CPUoffload:TSO,LRO,GRO ?Jumboframesupport(9.6KB) ?CompatiblewithFWA-5070,FWA-6070Platform

ADVANTECHAdvantech Co., Ltd.

研華科技研華科技（中國）有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    LDS6003PYGI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 傳感器，電容式觸控

  • 系列：

    PureTouch?

  • 包裝：

    管件

  • 類型：

    按鈕，滑塊，撥輪

  • 接近探測：

    無

  • 輸入數(shù)：

    6

  • 接口：

    I2C，SPI

  • 電壓 - 供電：

    1.65V ~ 1.95V

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    28-SSOP

  • 描述：

    IC SENSOR TCH PURETOUCH 28SSOP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多LDS6003PYGI供應商 更新時間2025-7-29 9:03:00

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