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LCE2009S中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

LCE2009S
廠商型號(hào)

LCE2009S

功能描述

NPN microwave power transistors

文件大小

126.01 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

PHI飛利浦

中文名稱(chēng)

荷蘭皇家飛利浦

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-31 16:58:00

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LCE2009S規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The LBE2003S and LBE2009S are NPN silicon planar epitaxial microwave power transistors in a SOT441A metal ceramic studless package.The LCE2009S is a maintenance type in a SOT442A metal ceramic capstan package.

FEATURES

? Diffused emitter ballasting resistors

? Self-aligned process entirely ion implanted and gold metallization

? Optimum temperature profile

? Excellent performance and reliability.

APPLICATIONS

? Common emitter class-A linear power amplifiers up to 4 GHz.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
LITTLEFUSE
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原廠原封
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