L6747C數(shù)據(jù)手冊(cè)集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF
| 廠商型號(hào) |
L6747C |
| 參數(shù)屬性 | L6747C 封裝/外殼為8-VDFN 裸露焊盤(pán)；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN |
| 功能描述 | High current MOSFET driver |
| 封裝外殼 | 8-VDFN 裸露焊盤(pán) |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-10 11:01:00 |
| 人工找貨 | L6747C價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
L6747C規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
The L6747C is a flexible, high-frequency dualdriver specifically designed to drive N-channel MOSFETs connected in synchronous-rectified buck topology.
Combined with ST PWM controllers, the driver allows the implementation of complete voltage regulator solutions for modern high-current CPUs and for DC-DC conversion in general.
The L6747C embeds high-current drivers for both high-side and low-side MOSFETS. The device accepts a flexible power supply of 5 V to 12 V.
This allows optimization of the high-side and lowside gate-drive voltage to maximize system efficiency.
Anti shoot-through management prevents the high-side and low-side MOSFETs from conducting simultaneously and, combined with adaptive dead-time control, minimizes the LS body diode conduction time.
The L6747C features preliminary OV protection to protect the load from dangerous overvoltage due to MOSFET failures at startup.
The driver is available in a VFDFPN8 3x3 mm package.
特性 Features
High-impedance (HiZ) management for output stage shutdown
Flexible gate-drive: 5 V to 12 V compatible
VFDFPN8 3x3 mm package
Dual MOSFET driver for synchronous rectified converters
High frequency operation
High driving current for fast external MOSFET switching
Adaptive dead-time management
Preliminary overvoltage (OV) protection
Enable pin
簡(jiǎn)介
L6747C屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器。由制造生產(chǎn)的L6747C柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
L6747C
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 驅(qū)動(dòng)配置：
半橋
- 通道類型：
同步
- 柵極類型：
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
5V ~ 12V
- 邏輯電壓?- VIL，VIH：
0.8V，2V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
3.5A，-
- 輸入類型：
非反相
- 工作溫度：
0°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-VDFN 裸露焊盤(pán)
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-VFDFPN（3x3）
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導(dǎo)體) |
2447 |
VFDFPN-8(3x3) |
315000 |
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詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
QFN8 |
12800 |
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詢價(jià) | ||
ST(意法) |
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ST |
22+ |
8VFDFPN |
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STMicroelectronics |
24+ |
8-VFDFPN(3x3) |
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詢價(jià) | ||
ST |
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ST |
22+ |
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5000 |
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詢價(jià) | ||
CONEXANT |
22+23+ |
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8000 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
詢價(jià) | |||
STM |
23+ |
QFN-8 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) |
