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L225中文資料POLYFET數據手冊PDF規(guī)格書

L225
廠商型號

L225

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

文件大小

38.32 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商

POLYFET

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數據手冊

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更新時間

2025-8-31 23:01:00

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L225規(guī)格書詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications.

Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet? process features low feedback and output capacitances resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

6.0 Watts Single Ended

Package Style SO8 -1

HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE

產品屬性

  • 型號:

    L225

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全稱:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

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