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MMBT9015	文件：195.93 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitchingandAFamplifierapplications AscomplementarytypestheNPN transistorMMBT9014isrecommended.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT9015	文件：110.02 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR FEATURES Hightotalpowerdissipation.(450mW) ExcellenthFElinearity. *ComplementarytoUTCMMBT9014	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MMBT9015	文件：1.4823 Mbytes Page：4 Pages	1WOUTPUTAMPLIFIER	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
MMBT9015	文件：100.46 Kbytes Page：2 Pages	PRE-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MMBT9015	文件：752.28 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導體東莞市平晶半導體科技有限公司	PJSEMI
MMBT9015	文件：121.19 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitchingandAFamplifierapplications AscomplementarytypestheNPNtransistor MMBT9014isrecommended.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
MMS9015-H	文件：194.2 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors ?Capableof0.2Watts(Tamb=25°C)ofPowerDissipation. ?Collector-current0.1A ?Collector-baseVoltage50V ?Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C ?Mar	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
MMS9015-H	文件：344.79 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
MMS9015-L	文件：194.2 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors ?Capableof0.2Watts(Tamb=25°C)ofPowerDissipation. ?Collector-current0.1A ?Collector-baseVoltage50V ?Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C ?Mar	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
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